超低オン抵抗MOS-FETの高gm特性を活かすために、大量のアイドリング電流による、A級シングル動作出力回路を採用。ローカル・アイドリング電流電源と、Ｂ級プッシュプル回路によるカスコード接続で、A級シングル出力でありながら高効率高出力。
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Ultra-low On-resistance Power MOS FET 2SK1380
B級プッシュプルカスコード /A級シングル出力
100W+100W ステレオ パワーアンプ
MJ無線と実験 1997年8月号 に発表
超低オン抵抗MOS-FETの高gm特性を活かすために、大量のアイドリング電流による、A級シングル動作出力回路を採用。
ローカル・アイドリング電流電源と、Ｂ級プッシュプル回路によるカスコード接続で、A級シングル出力でありながら高効率高出力。
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ファイルリスト
41kB |
html |
2SK1380 A級シングルステレオパワーアンプ |
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7kB |
2SK1380の伝達特性 |
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2SK1380の出力特性 |
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2SK1529の伝達特性 |
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2SK1529の出力特性 |
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95kB |
A級シングルソースフォロワ回路 |
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カスコードソースフォロワ回路 |
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61kB |
Ｂ級PPカスコード/A級シングルソースフォロワ回路 |
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カスコード回路の改良 |
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99kB |
アンプ部回路 |
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74kB |
主電源部回路 |
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86kB |
外形の寸法 |
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109kB |
内部の部品配置 |
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10kB |
周波数特性 |
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10kB |
全高調波歪み率特性 |
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7kB |
負荷抵抗対最大出力特性 |
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9kB |
出力インピーダンス特性 |
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74kB |
定電流電源の動作特性 |
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20kB |
電源オンオフ時のショックノイズ波形 |
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10kB |
パワーMOS-FETの規格 |
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3kB |
残留ノイズ |
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12kB |
パーツリスト |
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151kB |
2SK1380のデータ |
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16kB |
Rコアトランスのデータ |
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103kB |
アンプ部分の配線 |
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109kB |
アンプ基板 |
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43kB |
出力クリップ波形 |
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55kB |
10kH方形波出力波形 |
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64kB |
定電流電源の動作波形 |
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外観斜め左 |
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外観前面 |
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アンプユニットクローズアップ |
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アンプユニット |
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基板表 |
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基板裏 |
最終更新日: 2000/04/23 11:33:21 +0900