投稿者： 橋田
投稿日時： 20/04/18 01:22:08
項を改めさせていただきます。
半導体アンプ8Ω出力からのイントラでは、直流は流れないのでいいのですが、真空管ドライバでイントラを使う場合には、PP入力でない限り磁化の問題が避けられません。
（実際に出力管をドライブ管とするような大電流をイントラに流すとどんな高級なトランスでも低域が悲惨なことになるようです）
SEの出力段でも同じことが言えるので、以下のような対策を考えてみました。
つまり１次側にCTがあるトランスでCTをアースし両端からそれぞれ同一DC電流を流すということで、これ、PPがまさにそれなわけですが、SEでこれをやってしまおうというわけです。
要するにPP用のOPTを用意し、上半分はSE出力、下半分についても上半分と同様かつ反対のDCを流す、ということですが、
真空管回路でダミー負荷を加える作例は拝見しました。でもこれまさにもったいなさすぎです。
自分が考えたのは、もっと単純に、『単にDCを流すだけ』、です。
抵抗負荷でもいいのですが、もっと簡単には、定電圧定電流電源（もちろんフロートであること）を用意し、
下半分からも同じ電圧電流を流して磁化をキャンセルするというものです。
同じことはイントラでプライマリに電流が流れる場合も同じで、ドライバ管にもよりますが、出力段よりは電流が少なければ、抵抗負荷で熱的な問題は少ないように思います。
PP用のイントラならそのまま、代用トランスでも例えば半導体用のPTなら実用にはなるかと。
PTにCTがあれば、ですが。これでも「PTには直流を流すことが想定されてない」という原理原則に反するのでしょうか？
今、採用を考えている正規のイントラがあるのですが、このトランスの許容電流が公称10mA、ただコアボリュームから見てそれすら怪しいので、
むしろ大型の半導体用のPT、トロイダルコアあたりでの代用は有望じゃないかと狙っているのですが。