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本文なし
本文 x=sin(t)/t X=integral x
この表記がいちいちめんどーなんですよ。
画 step function X <= integral (sinc x )
step function X <≠ integral (sinc x ) <= integral delta function(δ(t))かな
ギャップトランスはチョークとトランスの合体で、ΦdcとΦac(交流と限らないが)の両立が必要。
インチキチョークでできるかも。
チョー
何のへんてつもないFSだが、時々出てくる。・全体の係数が4/πで、duty=50%の時、奇数時のみとなる。・応用は、RFアンプA,B,C級の共振回路電流成分解析・共振電源の電圧、電流解析・レーダパルスの成分解析・・・・・後、何があるだろう???
無線の話。RFCチョークコイルは自作AM送信機プレート電源チョークとしてよく使われた(そうだ)。原理的な話としてそのリアクタンスはちょうど、3.5MHzあたりからj50kΩとなる。終段管の負荷が5kΩとすれば、ちょうど無視できる値である。…2.5mHというい値はこうやって決まったのかも。
端子電圧の積分をするとヒステリシスが良く見える。このインダクターでは0.8Aがほぼ使用限界。
エプコスもいつの間にかTDKといっしょになったような感じですね。いまに、ムラタとTDKだけになってしまうかも。ところで、Wb=V*sec ですね。これに対して、C=A*sec電圧を時間積分すると磁束になる。電荷だとコンデンサに蓄積される電荷ということで分かりやすいのですが、磁束量だとどうもピンときませんね。ま、低域大信号でで磁束飽和しやすいということで理解してます。
強磁性体は、外部の磁場を受けると、磁気のない状態から、磁気を帯びて磁石になる(磁化される)
V(n001)とI(Rb)波形がごっちゃになったような波形ですね。これじゃ駄目だな。
電流は前歴に影響されて同じ電圧でも異なる。
皆さん、こんばんは。出力段のV-I特性(フィードバック時)をシミュレートしてみました。直流特性を得るために各コンデンサは定常状態での電圧値を持った直流電源に置き換えています。入力信号は-2V〜2Vで0.5V段階です。スイッチで負帰還の回路がプレートからカソードへと出力トランス2次側からカソードへと変更できますが、負帰還量は同じになるよう設定しています。V-I特性は同じになりました。
R7は1kでしょうか。 利得がちぃさくなりすぎませんか。
高宮さん、皆さん、こんにちは。R7はプレート電流測定用の抵抗で、1Ωです。
定電圧電源V4の内部抵抗が小さければ、プレート負荷になりませんか。
高宮さん、皆さん、こんにちは。グラフでは横軸Vp(図のV4) に対してVT2のプレート電流Ip(縦軸)を表しています。図のV1がグリッドで、回路全体でVp-Ip特性が3極管のようになっていると言うことです。
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