1. バイポーラトランジスターによるワイドラー型カレントミラー

右図のように入力電流I₁を加える側のトランジスターQ₁はベースとコレクタを結合したダイオード接続で、Q₁のコレクタ電圧を出力電流I₂を発生させる側のトランジスターQ₂のベースに与える回路となっています。

Q₁のエミッタ電流I_E1はQ₁のコレクタ電流I_C1とQ₁のベース電流I_B1の合計値です。
I₁はI_C1とI_B1とQ₂のベース電流I_B2の合計値であり、これはI_E1とI_B2の合計値でもあります。
Q₁とQ₂のベース電圧は同一であるため、Q₁とQ₂の特性が等しいものであれば、Q₁のエミッタ電流I_E1とQ₂のエミッタ電流I_E2は等しくなります。
しかしI_E1=I_E2であっても、I_B2が災いしてI₁=I₂とならない欠点があります。
I₁からI_B2を分流した時点で、I_E1はI₁よりもI_B2だけ少なくなっていて、更にI₂はI_E2よりもI_B2だけ少ないので、I_E1=I_E2であれば、I₂はI₁に対して2倍のI_B2だけ少なくなるというわけです。
I₁にI₂を近づけるためにはQ₂にH_FEの高い素子を用いる必要があります。

その他にも欠点を上げることが出来ます。
Q₁のコレクタ-エミッタ間電圧はベース-エミッタ間電圧に等しい0.6V程度であるため、コレクタ-エミッタ間の飽和電圧の低い素子を用いる必要があります。それはそれとして、Q₂のコレクタ-エミッタ間電圧はQ₁のコレクタ-エミッタ間電圧よりも高く、しかも変化するために、I₂はアーリー効果の影響を受けてI_E1=I_E2が厳密には成り立たってません。

このような欠点はあるものの高い精度が要求されない場合は、回路が簡単であるため用いられることの多い回路です。
Q₁をダイオードに置き換えた簡略形や、エミッタに抵抗を追加して精度と安定性を高めたタイプ、出力を2つ以上持つタイプなど多彩なバリエーションがあります。

エミッタに抵抗を追加した場合は抵抗両端に電圧振幅を生じるため、Q₂のミラー効果が作用して高い周波数の伝達特性が低下します。 尚、ミラー効果のミラーは発見者由来のMillerで鏡のmirrorではありません。

温度によってベース-エミッタ間電圧が変化するため、Q₁とQ₂を熱結合して温度条件を同一にそろえる必要があります。そのため、最初から2素子を一つのシリコン基板上に作成してあるモノリシック・デュアルタイプのトランジスター（2SA1349/2SC3381など)を利用すると便利です。

I_E1=I_C1+I_B1
I₁=I_C1+I_B1+I_B2=I_E1+I_B2

I_E1=I_E2
I₂=I_E2-I_B2=I_E1-I_B2

∴I₁-I₂=2I_B2

簡略形

エミッタ抵抗追加形

多連出力形

バイポーラトランジスターによるワイドラー型カレントミラーに、右図のようにQ₃を追加してベース電流を別に供給することで、I₁=I₂を可能にした回路です。
Q₃のベース電流が、I₁に与える影響が無視できるほど小さいことが条件です。
Q₃のエミッタ側はQ₁による強力なNFBが作用して極めて低いインピーダンスになっているため、エミッタに抵抗を追加した場合でもQ₂のミラー効果が小さいという御利益があります。

3. MOS-FETワイドラー・カレントミラー

右図のようにQ₁,Q₂にMOS-FETを使用すると、バイポーラトランジスターにあった問題点が一切ないため、I₁=I₂が理想的に達成できます。

使用するMOS-FETとしては、ゲート-ソース間カットオフ電圧よりもドレイン-ソース間飽和電圧が低い素子でなければなりませんが、高耐圧のものを除けば大概この条件は満たしています。
ただスイッチング用に開発されたものはノイズが大きいという印象が私にはあります。

4. ウイルソン・カレントミラー

右図がウイルソン・カレントミラーと呼ばれる回路です。
Q₃のエミッタ電圧がQ₁のベース電圧(約0.6V)と等しくなるように、Q₃とQ₁は強力なNFBループを形成しています。
Q₂はダイオード接続で、Q₁とQ₂のベース電圧は同一であるため、Q₁とQ₂の特性が等しいものであれば、Q₁のエミッタ電流I_E1とQ₂のエミッタ電流I_E2は等しくなります。

I₁はQ₁のコレクタ電流I_C1とQ₃のベース電流I_B3に分流し、I_B3はI₂と合流しQ₃のエミッタ電流I_E3となりますが、今度はI_E3からQ₁のベース電流I_B1に分流してそれがI_C1と合流しI_E1となるので、I₁から分流したI_B3がI_B1となって戻ってくることになり、I_B3とI_B1が等しければI₁=I₂となります。

5. 高精度ウイルソン・カレントミラー

右図のように、Q₁のコレクタ-エミッタ間電圧V_CE1とQ₂のコレクタ-エミッタ間電圧V_CE2を等しくするため、ダイオード接続したQ₄による電圧ドロッパーを入れた回路です。こうすることでQ₁とQ₂の動作条件が等しくなるため、温度ドリフトが減り、I₁=I₂がより高精度で達成できるようになります。

6. スーパーリニア・サーキット

パイオニアの無帰還アンプに使われたテクニックです。
Q3とQ4によるカレントミラー回路によって、Q2のコレクタ電流I3と同じ電流がQ1のエミッタ電流となるため、Q1のベース・エミッタ間電圧VBE1とQ2のベース・エミッタ間電圧VBE2が等しくなり、RBとREに発生する電圧が等しくなる。よって、RB=REならI1=I4となります