(2962)12/23_13:12
①~④ (masuda@東大和市)
お久ぶりです、村田先生。以下、回答です。
①目的＝OPアンプによる負性抵抗回路で、トランスの銅損、鉄損のキャンセル回路です。
②R1 ＝負性抵抗発生回路の一部です。
③X2 ＝高電圧出力のバッファです。
④上の波形＝これは、負性抵抗値-10Ωを示してます。が、0/0の所で発散値が出ちゃいます。
(2963)12/23_22:48
Re:この回路の使用目的は? (村田@熊本)
増田さん、皆さん、こんばんは。
>OPアンプによる負性抵抗回路
理解できました。上のグラフの意味が分かりました。
定電圧源V3と端子⑦間に巻線抵抗10Ωのコイルが入った場合、この10Ωが
打ち消されて0Ωになるということですね。
また、V3に直列に20Ωを接続すると、V3から見た抵抗が10Ωになるのですね。
ありがとうございました。
(2955)12/22_12:29
NFB=10ｄBのアンプ なので。 (増田＠東大和市)
こんにちは。増田です。NFB=10dB＝1+Aβ＝√10＝3.1622 ですね。
DF＝(DFo+1)NFB-1=3.1622-1=2.1622 …DF=２のアンプ仕上がりですね。
当方は、真空管アンプで、DF=3狙いなので、やや緩めのアンプでしょうか。
(2960)12/23_12:53
ソースホロアと出力インピーダンスは (高宮@島根)
こんにちは 高宮@島根です。
出力インピーダンスは回路形式によって色々変わると思いますが、
ソースホロアの出力インピーダンスは、駆動段のインピーダンスを無視すれば、凡そソース抵抗と等しくなります。
内部抵抗0.4ΩのFETに0.４Ωを直列に接続したコンプリメンタリー プッシュ
プルでは０．４Ωになります。電圧帰還を10dBかければ、1/3に低下します。
従ってダンピングファクターはかなり大きいでしょう。
(2961)12/23_13:06
コンプリソースフォロワ (masuda@東大和市)
ですね。そうでした。どうも、アンプというと真空管カソード接地専門なので。
半導体の場合、いわなくてもコンプリソースフォロワで、出力インピ＝1/gmですね。ですのでDF的にはNFBなしでもOKということですね。NFBの目的は歪率改善か…この辺は個人の嗜好ですね。
(2967)12/26_20:23
インバーテッド ダーリントン (高宮@島根)
こんにちは高宮です。
終段を pnp エミホロ + N ch ソース接地 と npn エミホロ + P chソース接地
( = インバーテッド ダーリントン接続)にすると、
電源のリップル抑圧特性は良くなりますが、局部帰還も無しで検討されていますか。
68000uF程度の電源フィルタとで１W出力時80dB位のS/Nは得られると思いますが。
やはりMOSFETは三極管特性に近く電源電圧の変動で出力電流が変化するので、
単独ではハムが僅か出るかも知れませんね。