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(3027)01/14_14:08
no.3020シミュレーションその2 (高宮@島根) 返信

最大出力近くの出力波形を添付します。バイアス電流は
x　280uA
y 15pA　　です。




[JPEG画像]： -(279 KB)
(3026)01/14_14:02
回路図およびデバイス　パラメータ (高宮@島根) 返信

横構造FETは伝達特性の変化が緩やかで、バイポーラトランジスタのようにVbe=0.7Vで１次近似できません。　従ってRgs=100Ωがあると　opampでは容易に駆動することが出来ません。
　　　　　　むしろ真空管に近い伝達特性ではありませんか。
　-> クロスオーバー歪に対処し易い?
そこでRgsを除いて、　抵抗で僅か(0.2V位)にバイアスすればきれいな出力が得られると思います。
　Pch の伝達コンダクタンス　パラメータ Kp　はカタログの特性曲線にあわせて小さく設定しているので、y出力は飽和しています。　もっと特性の良いペアが入手できれば改善はします。そのほかのパラメータも回路図の上にあります。

　抵抗バイアスの回路は、何とか名前があるようですが、特別に先見性があった回路とは思われないのて、あえて区別するなら見元No.1.2.3でも良いでしょう。
　


[JPEG画像]： -(164 KB)
(3020)01/14_09:09
高宮様 (見元（大田区）) 返信

No.2749のシュミレーションとは別府式アンプのことですね。No.2986のMITアンプの回路図を示します。こちらのシュミレーションは可能ですか？OPアンプはLT1677でもOKです。

[JPEG画像]： -(105 KB)
(3013)01/14_08:08
低バイアス2 (高宮@島根) 返信

出力波形　19.53125kHz 1V 出力
　　 上がCP
　 　下がEFです。

[JPEG画像]： -(151 KB)
(3012)01/14_08:02
低バイアスアンプ1 (高宮@島根) 返信

　シミュレーションで比較的クロスオーバ歪が小さい結果が出ました。(ご参考まで)
オペアンプはrail to rail が最大出力の点でいいみたいです。

回路は1) EF 　オペアンプ+パワートランジスタエミッタホロア
　　　no.2747 見元さんと同じ構成のパワートランジスタを使ったバイアス回路
　　　但し、バイアス抵抗を調整してパワートランジスタのバイアス2.7mA

2) CP オペアンプ＋コンプリ接続パワートランジスタ
　　　小信号トランジスタとパワートランジスタのコンプリと　
　　　ダイオード接続の小信号トランジスタのバイアス回路
　　　ダイオード接続のバイアス抵抗と帰還抵抗で電流調整　2.4mA


[JPEG画像]： -(93 KB)
(3016)01/14_08:54
電流値訂正 (高宮@島根)

EF 1.34mA CP 1.23mA OPamp 2.58mAです。

(3011)01/13_18:39
MITポータブルアンプ (大橋＠町田) 返信

MITアンプの応用でポータブルヘッドホンアンプを作ってみました。
006Px2でOPアンプとドライバTRを動かしていますが、まえに作ったときはドライバにバイアス電流を流してクロスオーバー歪を取っていました。その分電池寿命が短くて実用上問題もありましたので、取り組みました。
出力波形にはドライバTRがONになって切り替わるときの歪が見えますが、普通のヘッドホン＋駄耳には聞こえませんし、元気な音に鳴りました。ただし低インピ（8Ω）かつ高能率のAKGみたいなヘッドホンだとこの歪に起因する（と思われる）ざらざら感がでますのでこの辺が、MITアンプの限界かも知れません。なおO半導体ははOPA2134＋C1815＋A1296です。

[JPEG画像]： -(29 KB)

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