(2712)05/12_13:24
無題 (八野＠石川)

補足しますと、回路だけではないということです。
温度補償するのですから、どのくらい変動するかを調べてからでないと、闇雲に回路をつけても意味がありません。
それは、実装状態でないと測定できません。

サーミスタでも、トランジスタでもいいのですが、変動範囲を完全にカバーできるかは、実装しないとわかりません。

依然、この下方で、温度補償のデータを毎回掲示されていた方がいらっしゃいましたが、参考になるかもしれません。

(2713)05/12_14:16
無題 (八野＠石川)

たとえば、FETが20Sなら、変動が10mAが目標なら10mA/20S=0.5mVです。0.5mVゲート電圧を変動させればいいことになります。

2Aなら2A/20S=100mVです。

また温度変化を抑える方法もあります。たとえば、ファンをつけます。

ペルチェ素子でもいいでしょう。

(2714)05/12_14:34
無題 (八野＠石川)

このFETの順方向伝達アドミッタンスSが温度で大きく変わるようです。
それで、バイアスが狂ってくるのでしょうね。

ああ、余計事を書かなきゃよかった。全部無視してね。

ごめんなさい。

(2715)05/12_18:54
無題 (蝦名＠茨城)

出力段をNchのFETだけにしようとしているのでしょうか？　電圧増幅段が差動ということであれば、金田さんの電流出力アンプ（完全対称アンプとかと称しているもの）のような形式になりますね。但し、電流でドライブする必要があるので、6DJ8ではだめでPchの石の差動にする必要があります。
この場合は、バイアス電圧は電圧増巾段の電流と抵抗で作りますが、20N20のゲート−ソース電圧とドレイン電流の関係を測定しておき、それに合わせた電圧にします。

(2717)05/12_19:47
CADのミス？ (見元（大田区）)

回路図を拝見しました。20p20はソースフォロアですか？おそらくCADのミスで、ソースとドレインが逆になっているように思います。アドバイスする前に、まずこのことを確かめさせてください。