(2724)05/13_21:17
無題 (蝦名＠茨城)

この回路だと、瞬間的にドライバ段、出力段が飛んでしまいます。まあ、間違いはさておき、実際に使う回路を示して頂かないと、変な所で突っ込みを入れたくなってしまいます。実際の回路を載せたらどうでしょうか。
あと、ドライバ段を使うのであればドライバ段の前にバイアス回路を入れるのが普通です。

(2727)05/17_23:44
いしだ回路の気になる点 (高宮@島根)

いしださんの回路の問題点はお気づきになりましたでしょうか。

部品の回路番号が無いのでお話がしにくいですが、
ＶＣＣ／ＶＥＥ２に抵抗を介してベースに接続しているトランジスタはｉｎｐｕｔ信号に無関係で
電源電圧に比例するエミッター電流が流れます。
　エミッタ抵抗が小さければトランジスタは破壊します。
　しかし、１ｋΩだとするとおよそ14ｍＡ流れ、二つのエミッター抵抗が等しければ、真ん中の電圧は0Ｖになるだけです。
　エミッター電圧はベース電圧より高くならないのでコレクタの電圧を高くするのは無用です。
　このままではドライバー段として動作しません。
ＬＦ356はナショナルセミコンダクタの初期のＪＦＥＴオペアンプです。
　当然レールツーレールでは無く、Ｖｃｃ２は15Ｖ以上は無理ですが
　出力端をグランドに接続すると内部の電流リミッターが働くか破壊するだけです。
50Ｖに接続した抵抗は電圧降下のためにＦＥＴのゲートを電源電圧まで上げることが出来ませんので、不要です。
　エミホロでＮＰＮを駆動すべきです。
必要とするゲート電圧にするにはダイオード二個は不要で、　有れば大電流が流れてＦＥＴの破壊に至りませんか。
　ＡＢ級のバイアス電流を数百ｍＡにするには20Ｎ20の場合はゲート電圧は1Ｖ以下ではありませんか。

先に紹介した同じナショナルセミコンダクター（今はＴＩ社）のＬＭＥ４９８３０いいＩＣだと思いますが、

ＥＸｉｃｏｎは聞きなれないメーカのようですがＭＯＳ回路を触るときには壊れる恐れもありますで、
　充分注意して実験されるのが良いと思います。

(2719)05/13_00:09
アドバイス (見元（大田区）)

回路図が直りましたね。

１、バイアス回路
FETの温度特性が負なので温度補償は必要なくこの回路で十分です。半固定VR＋コンデンサだけでも大丈夫だと思います。

２、真空管だけではドライブが難しい
FETのCissが12000pF(4ペアで）あるので、真空管で無帰還をやろうとすると、fc=20KHzを満足する負荷抵抗は663Ωくらいになります。±50Vをドライブするためには、真空管に150Vをかけ、この半分の75Vを663Ωに食わせるとすると、113mAのカソード電流を流し、ピーク時にはこの倍の電流が流せるようにしなければなりません。これを6DJ8の差動で組むとなると数を増やすかエミッターフォロアー等を追加する必要が発生するでしょう。

３、OPampドライブについて
LF356は絶対定格が±22Vなので、本回路をドライブするには役不足と考えます。高耐圧で負荷電流の流せるOPampを新たに探すか、±50Vを下げ、FETの本数を減らす等を検討されてはいかがでしょうか。

(2720)05/13_06:42
MOSFET駆動用IC (高宮@島根)

LME49830 は　高耐圧のドライバー回路です。　バイアス回路例もアプリケーションノートにあります。多少参考になると思います。
しかし、出力トランジスタの数と電源電圧は必要最小限にされるのが、良いと思います。