３２１６サンズ四個並列に対して、２０１２サイズ八個並列は共振周波数以上で低インピーダンスZ=(V/I)特性を示す。１６０８サイズ八個並列とほぼ同等の０．１オーム以下です。特性が二重線になっているのは30Vと31Vの直流電圧での違いでやはり１６０８サイズの大容量は電圧が変わると容量値が変化する。２０１２サイズで0.47uは1uよりはやはり大きいＺを示す。
セラミックコンデンサは、印加電圧によって静電容量が変化すると聞いております。これって、磁性体のBHカーブ特性同様、DEカーブが存在することだと思います。メーカの電圧パラメータからDEカーブを描くことはできるのでしょうか？それとも、単に電圧と静電容量を結び付けてるだけしょうか。
TDKでなくてMurataさんですが。
村田製作所のコンデンサの等価回路で確認してみてください。そのようなパラメータは無いでしょう。残留効果は二次的と思います。D級アンプの電源のバイパス用コンデンサではヒステリシスを考慮すること不要でしょう。
うーんとDEカーブには二つの要素があって、①ヒステリシス・・・これは誘電体損失を示します。②飽和特性 ・・・これが容量の非線形を示します。おっしゃるヒステリシスとは容量非線形飽和のことでしょう。
DEカーブの要素は見つかりましたか
強誘電体モデルはspiceで、modelレベル6 であるようです。パラメータ調整が必要ですね。磁性体の方のはジレスアンダーソンモデルが既にインストールされてるのに、返ってキャパシタの方が遅れてるのも不思議ですね。
セラミックコンデンサは飽きてしまいましたか？
村田製作所 セラミック コンデンサI have not Murata's DE device parameter.
TDK、エプコス、シノプシス、・・・・なにやら、いろんなメーカがよってたかって賑わしくなってますね。※HSPICEは，Synopsys, Inc.の登録商標です．LTspiceは，Linear Technology Corporationの登録商標です．PSpiceは，Cadence Design Systems, Inc.の登録商標です