SITは、従来の一般的なバイポーラ・トランジスタ〈BPT〉や、電界効果トランジスタ〈FET〉とは動作原理や構造が異なり、取り扱える電流が非常に大きく、しかも大電力用でありながら高速スイッチングが可能な素子です。

SITは、電流の流れる部分（チャンネル部）を半導体基板に対して、平面上に多数配列することにより、大電流を流せるようにし、さらに内部抵抗も小さくした大電力に適したトランジスタです。並列動作が容易なため、数10個並列使用し、出力数100kW、周波数100kHzの高周波、超大型装置も固体化が可能となり、また、高速SIT〈THFシリーズ〉の採用により、数MHzまでの大電力・増幅もできるようになりました。

パワーMOSFETは小電力高周波、IGBTは低周波用、SCRは低周波大電力用に適しています。