(741)01/10_10:41
ちょこっと (うーだ@茨城)

粕谷＠江東区さん　こんにちは　　さらに完成度が上がりつつありますね。

(1) 終段動作点：
　コメントを忘れていました。　→7K、→30mA にて標準的な動作、DF も予想範囲ですね。

(2) 歪率：
　FET 初段の動作点には調整余地がありそうです。　当然、帰還管の Rk も関係しますね。　P-S NFB の追加にて更に改善されましょう。　P-S 間の R 値も調整余地があり、DC カットの Cc を入れるのが標準、入れないと・・・。

(3) 直結：
　初段にパラの G-leak R が取り除かれて、初段〜帰還管の NFB 信号分圧が変り、NFB 量および DF が若干↑しゲインは僅かに↓でしょうか、しかし終段は Ep/Esg↓で出力↓で大差ないか。　C/R 結合なら種々の出力管を挿し換えたりして楽しめますが・・・直結は少しシンドイです。

　私の HP 例では手軽さと再現性を重視して、P-K NFB の Cc も省略、調整箇所は動作点一ケ所に単純化しましたが・・・。