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(1069)02/14_23:26
超三結EL34Bシングル　V1（C/R結合）　改１(2012.2.14) (abo@尾道) 返信

宇多さん、皆さん、こんばんは。
「超三結EL34Bシングル　V1（C/R結合）」の回路定数が決まりました。

● 電圧帰還管の選択
この件ですが、宇多さんのC/R結合V1とは準超三結 V1回路「P-G NFB 併用カソードフォロア・ドライブ回路」のことでしょうか？
私の回路は直結V1構成のC/R結合ですので、「P-G NFB 併用カソードフォロア・ドライブ回路」とは違います。
また初段はFETを使っていますので「P-G NFB 併用 SRPP ドライブ回路」でもありません。
で、回路図にも記載していますが「電圧帰還管12AX7Bを12AT7に変えてもDFは変化無。DF4.5と少し低いのは出力トランスの１次側直流抵抗(200Ω)が影響している可能性有り。」
従って、C/R 結合の４７０ＫΩのグリッドリークの影響は無いと考えています。

● 五極管による初段
確かに五極管による初段はDC電圧をフィードバックしますので選択範囲が広く動作も安定しています。
（直結V1でFETを使うと過電圧による素子破損もありますね。）
ただ、初段の動作としてはFET（ソースフォロア）も五極管（カソードフォロア）も電圧電流変換回路として使っていますので、
この部分としてはどちらも安定に動作します。FETの問題はドレイン・ソース間の電圧変動が出力管のバイアス電流を変化させることにより、
最悪の場合出力管やバイアス抵抗を熱破壊すること、そしてFETの保護回路がなければ過電圧によりFET自体も壊れることです。
私の回路は出力管やバイアス抵抗はC/R結合（自己バイアス）により保護、FETは3極管と定電流ダイオードを使った高耐圧定電流回路と同じ原理で保護しますので再現性と安定性は問題ありません。
（残念ながら選択範囲はあまり広くは無いように見えます...）

● ダイオードの効果
改１の回路図には念のため入れていますが、長期間、真空管アンプから離れていましたので有無の違いが良く分かりませんでした。

● 初段FETのソース側抵抗のパスコン
パスコンを入れた回路をインターネットで良く見かけますが、これを入れると理由は分かりませんが低音の迫力が減少します。（DFの変化は無し）
アンプゲインは増えますが、低音の迫力が減少するので改１は入れていません。
尚、上條さんの回路にはこのパスコンを入れたものはありませんでした。何かご存知でしょうか？

● 五極管のSG電圧
一般的にはプレートより低い電圧を印加しますが、低くすると何故かこれも低音の迫力が減少します。（DFの変化は無し）
ということで、低音の迫力が減少するので改１は入れていません。何かご存知でしょうか？

測定環境として十分ではありませんが、今後周波数特性・歪特性・入出力特性をアップします。
先ず第１弾として超三結EL34B周波数特性0.125W(改1)をアップします。

[PNG画像]： -(61 KB)
(1071)02/15_10:08
一段と完成度が (宇多＠茨城)

安保さん　こんにちわ　　一段と完成度が上がりました。

● 電圧帰還管の選択・・・回路名称の件等
１．「C/R 結合V1」は直結V1 の C/R 結合版、安保さんの回路が該当です。　
　▲「P-G NFB 併用カソフォロ・ドライブ回路」は部分的な超三結回路であり
　　NFB 信号は帰還段＝カソフォロにのみに配分、V1 等と区別のため (勝手に)
　　「準超三結」と命名しました。　別途に電圧増幅段を設けます。　
　▲「P-G NFB 併用 SRPP ドライブ回路」は「超三結効果」が少なく　
　　「類似回路」とし超三結のカテゴリ外としました。　双三極管 SRPP
　　の P-G NFB 併用を超三結と混同する例があり、区別する目的もありました。
２．帰還管の変更・・・DF 変化なしは、FET + 三極管 GG の安定度が高く影響
　　を受けにくいためかと思います。　直結では要素が多くよく判らないです。

● 五極管による初段
　FET + 三極管 GG によるカスコード・アンプは私も何例かトライしました。
　確かに FET 一発では電圧余裕等が少なく、直結では出力段 K のカサ上げ
　電圧を低くすれぱ設定範囲が狭く、しかも調整時に壊しかねない等問題です。
　直結V1 の場合は初段故障時の保護回路を、調整ミスも含めて追加しましたが。

● ダイオードの効果・・・スイッチで実時間比較する方もおられます。
　P 回路・・・廉価品 OPT に効果があるみたい。　過渡的な信号時に差かも。
　SG 回路・・・ビーム管は効きにくいみたいで、電極構造等も関係するかも。　

● 初段 FETのソースのパスコン
　五極管も同じで、初段の定電流性確保のため電流帰還とする場合 R のみです。
　私は低域を抑制し、直結V1の動作点調整が円滑になるので入れています。　
　定電流性が落ちても帰還段との適正インピーダンス配分ができればＯＫかと。

● 五極管の SG 電圧
　OPT による P 電圧の降下と合わせたり、水平偏向出力管の SG 電圧調整用
　ブリーダ・ドロッパを挿入します。　100uF 位でグランドまたはカソード
　に落としてみたら如何でしょう。

(1072)02/15_11:24
迅速なご返信ありがとうございます。 (abo@尾道)

宇多さん、こんにちは。迅速なご返信ありがとうございます。

● 電圧帰還管の選択・・・回路名称の件等
この回路は「C/R 結合V1」ということ了解です。
「帰還管の変更・・・DF 変化なし」は私も良く分かりませんが、
C/R 結合の４７０ＫΩのグリッドリークの影響は無いと考えています。

● 五極管による初段
> 直結V1 の場合は初段故障時の保護回路を、調整ミスも含めて追加しましたが。

この回路は高耐圧定電流回路と同じ原理で保護します。
しかもこの高耐圧定電流回路は「定電流回路の内部抵抗は元の定電流ダイオードの内部抵抗のμ倍になり、これはちょっとやそっとでは得られないくらい高い値になります。」との優位を持っています。

● ダイオードの効果・・・スイッチで実時間比較する方もおられます。
> P 回路・・・廉価品 OPT に効果があるみたい。　過渡的な信号時に差かも。
> SG 回路・・・ビーム管は効きにくいみたいで、電極構造等も関係するかも。

う〜ん、高価なファーストリカバリーDiですか...、このダイオード効果が分かる方は素晴らしい感性をお持ちですね。
低音命の私では当面無理ですので（笑）、保留とさせて頂きます。

● 初段 FETのソースのパスコン
> 五極管も同じで、初段の定電流性確保のため電流帰還とする場合 R のみです。
> 私は低域を抑制し、直結V1の動作点調整が円滑になるので入れています。　

　定電流性が落ちるということ了解です。

● 五極管の SG 電圧
> 100uF 位でグランドまたはカソードに落としてみたら如何でしょう。

電圧をPより50V下げ8.2kの終端についている22uFでグランドに落としましたが低音の迫力が減少します。
歪特性・入出力特性が一段落してから100uFで実験してみます。

※今後について
１．アンプゲインの向上
　現行の４倍では不足し過ぎですよね。±電源とOPアンプを使えば簡単ですが、それでは芸が無いので...
２．大出力の歪率改善
　現行の回路では入力信号が大きな電圧でマイナス側になったとき電圧電流変換回路の直線性が悪くなります。アンプゲイン不足も含めて何とかしたいと考えております。
３．MC-10T(EL34B/PP)の超三結化
　実はBOYUU EL34B(日本仕様)の音が余りにも酷かったのでこれも追加購入しました。
　真空管アンプの性能としては普通？であり何も不満はありませんが、このEL34Bシングル超三結化の音を聴くとMC-10Tも改造してみたいと思っています。
　ただ、改造が大掛かりになり大変なので二の足を踏む？かも知れません...（汗）

(1074)02/16_01:42
ご検討余地 (宇多＠茨城)

安保さん　こんにちわ　　以下、見当違いにはご容赦のほどを。

１．ゲイン不足
　帰還管のカソード抵抗 Rk が過小かも。　直結では 4.7k~8.2k 辺りです。

２．大出力の歪率改善
　下の 12AX7/2 GG が Ek=Eg とゼロ・バイアス状態・・・見直し要か。
(1) 帰還管のカソード抵抗を増やすと、下の GG の動作電圧が下がりますが、
(2) FET のバイアスＲ調整、および／または GG のグリッド電位を
　　ポテンショ加減に時定数を加え、最適化すると良いかもしれません。

(1076)02/16_07:17
ゲイン不足の要因 (abo@尾道)

宇多さん、おはようございます。

帰還管のカソード抵抗がゲイン不足の要因ですが、現在のFET電流で4.7kにするとロー電圧側で飽和するので不可です。
FET電流を少なくするにはFETのソース抵抗を大きくするかIDSSの小さいものにする必要がありますが、
大出力の歪率との関係もありゲインを上手く上げることができません。
これが、FETの初段で（残念ながら選択範囲はあまり広くは無いように見えます...）の意味です。


(1062)02/10_02:49
超三結EL34Bシングル　V1（C/R結合） (abo@尾道) 返信

皆さん、こんばんは。初めまして、aboと申します。

真空管アンプは高校時代に6BM8PP・6RA8PP・プリアンプなどを自作していましたが、
最近友人より超三結6V6で聴いているとの情報があり超三結について少し調べました。
これは１０年位前に上條さんが考案された真空管アンプの最新技術ということで、
出力段のインピーダンスが３極管より低くでき低域の特性も良くなる大変魅力的な技術ということが分かりました。
高校時代からかなりの期間、真空管から離れていましたので全く知りませんでした。（汗）

で、上條さん、宇多さんのホームページを参考にして、
http://www.sp01.jp/26_747.html　を超三結に改造しましたので、
ご参考として改造回路図を添付します。DF(1KHz）は4.4でした。

先ずこの製品ですが、
１．意味不明なスーパーリニア接続？について
「てっきり初段はSRPP増幅回路位にはなっているのかなぁ」と思っていましたが、
何と「初段は12AX7パラ接続の電圧増幅、終段はEL34B自己バイアス（UL接続）の電力増幅、負帰還は無し」
の５球スーパー並の回路構成で、出力を大きくすると歪が多かったです。
中国では「スーパーリニア接続」＝「５球スーパー並の回路で出力に比例して歪もリニアー且つ大幅に増える」
の意味かも知れません。（爆）流石、恐るべき中華アンプですね。（大笑）
大型トランス等、部品は良い物を使っているのにこの回路では勿体ないような感じです。

２．Ｂ電圧は300V、EL34Bのバイアス電流は40mAと軽い動作なので発熱は少ないようです。
しかし「これで出力12W」はどう考えても無理です。これも嘘っぽいですね。

３．この製品には取扱説明書（保証書）などの書類は一切ありません。
どこかのOEM製品のメーカー在庫を仕入れたみたいです。（保証期間は、初期不良の1週間のみです。）
まぁ〜、改造（修理）するのであれば全く問題無いですね。

さて本題ですが、超三結は最初に宇多さんのホームページを参考にして準超三結 V1回路に改造してみました。
「P-G NFB 併用カソードフォロア・ドライブ回路」に12AX7を使用しましたので宇多さんのような性能が出ません。（涙）
やはり、ダーリントン接続のプレート抵抗（μ/gm）が影響しているように思います。
また、12AX7を12AT7に変更するとゲイン不足になり実用的に不満が残る結果でした。

そこで、何とか純超三結 V1回路と同等な性能でDC回路の安定化や終段の自己バイアス抵抗の発熱を減少できないか？、
色々と考えましたところ良い回路が見つかりました。
この回路の特徴は、
１．VRによるFETのバイアス調整が不要。
２．真空管によるFETのVds保護回路により動作電圧がほぼ一定。
３．電力増幅の入力がC/R結合なので自己バイアス抵抗の発熱が少なく電力増幅部破損の恐れがない。
となります。

まだ、試作したばかりですので詳細なデータは無く最適な部品や定数でもありませんが、
このC/R結合で純超三結 V1回路と同等な性能が可能なのか？や12AX7を12AT7・12AU7に変更したときの特性変化など、何かご指摘・ご意見を賜れば幸いです。
素晴らしい技術を開発された上條さん、詳細な解説・試作等をされた宇多さんに感謝致します。

[PNG画像]： R結合）回路図 -(8 KB)
(1063)02/10_23:03
うーん、亜流は・・・ (宇多＠茨城)

安保さん　みなさん　こんにちわ　超三結へのアプローチ大歓迎です。　

(1) ファイナルは五極管接続がよろしいです。　UL では別の球みたいです。
(2) 純V1 ・・・直結はかなり安定で、やってみる価値が十分あります。
　　帰還管による P-G NFB の他に、初段にも NFB が掛かかります。
　　C/R 結合では、グリッドリークがこの NFB 効果を半減するみたいです。
(3) 純V1 では初段は五極管または FET/BJT 一発とし、動作点調整します。
(4) 電圧帰還管は 12AX7 がおとなしく、AT7 は固め(制動がやや過剰)、
　　AU7 はさらに固めながら、直結の場合は動作点調整が困難です。
　　・・・帰還管と初段への NFB 量と配分が変って DF に影響します。　
(5) 騙されたつもりで・・・ダイオードを P/SG に直列に挿入すると超三結に
　　限らず、いろいろな条件により音質的に効果がある場合があるようです。
　　電源はＣをモリモリすると、その効果が顕著になるようです。

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