(1080)02/17_11:44
発振？ (宇多＠茨城)

安保さん　こんにちわ　　
発振の可能性は低いですが、高周波発振なら中波ラジオをモニターにします。
もし残るなら更にプレートに 10Ω程度挿入ですかね。

さて、課題は初段にあると考えますが、さらに FET はたとえば K117 等を
試すほか、下記の初段動作電圧低減〜帰還管 Rk 増加対策が考えられますね。

(1) 帰還管と GG を 内部抵抗の低い 12AT7/12AU7 にして調整。
　　12AX7 GG の内部抵抗がゼロバイアス状態でも高く100V 超過。
　　私の EL509 P-K NFB アンブでは FET + 12AU7 GG でした。

(2) 帰還管回路を FET ドレーン直に接続。　C/R 結合だから安全です。
　　但し 60V 位の ZD を並列接続して過電圧破壊対策、出力管 Rk 下端に
　　検知用の数 10Ωタップを設けそれから DC-NFB を高 R 経由で
　　FET ゲートに掛け、入力経路にはＣ挿入、ソース R 調整となります。

(3) 9 ピンのソケット装備なので三極五極管に。
　　但し 6U8/ 6EA8/ 6GH8A では G1p と Tp が隣のピン、高周波の
　　飛びつき発振を起こし面倒。　その点 6AN8/ 6AW8-A 等は安全です。
　　（拙 HP 2E24 STC に例あり。）

(1081)02/17_12:41
Re: 発振？ (abo@尾道)

宇多さん、こんにちは。ご返信ありがとうございます。

「もし残るなら更にプレートに 10Ω程度挿入」了解です。

初段について
アンプゲインは帰還管の2端子回路（真空管抵抗）とFETのソース抵抗の比率で決まるようです。
FETは色々変えましたが、真空管抵抗ととFETのソース抵抗が同じであればアンプゲインも同じです。

(1) 帰還管と GG を 内部抵抗の低い 12AT7/12AU7 にして調整。
この場合、帰還管の2端子回路（真空管抵抗）は更に低下、
FETのソース電流は増えますのでソース抵抗も低くする必要があります。
しかし、帰還管の2端子回路（真空管抵抗）とFETのソース抵抗の比率はあまり変わらず...アンプゲインも大差無しでした。

(2) 帰還管回路を FET ドレーン直に接続。　C/R 結合だから安全です。
これは負帰還ですね。アンプゲインは下がる方向では？
「ZD を並列接続して過電圧破壊対策」は現在の高耐圧定電流回路で良いのでは？
それから、「ソース R 調整」すると帰還管の2端子回路（真空管抵抗）の電圧が変化、且つアンプゲインも変わります。
この「ソース R 調整」は何のためにするのでしょうか？

(3) 9 ピンのソケット装備なので三極五極管に。
市販品の改造なのでこの大掛かりなことは困難です。
五極管初段は次回自作するときに検討してみます。

●私見ですが、この回路でパスコン無しのソース抵抗のみの場合アンプゲインを上げることは困難だと思います。
もし可能であれば五極管初段でカソードパスコン無しのアンプゲインがどの位になるのか調べて頂けないでしょうか？