画像Upload掲示板
(2015携帯アクセス)
-224990-

*PC、スマホの方はこちら

HOME | 投稿 | 検索 |管理|
*注意事項

   106-112/386件中
<先頭 l 前7 - 次7>
(1080)02/17_11:44
発振? (宇多@茨城)

安保さん こんにちわ  
発振の可能性は低いですが、高周波発振なら中波ラジオをモニターにします。
もし残るなら更にプレートに 10Ω程度挿入ですかね。

さて、課題は初段にあると考えますが、さらに FET はたとえば K117 等を
試すほか、下記の初段動作電圧低減〜帰還管 Rk 増加対策が考えられますね。

(1) 帰還管と GG を 内部抵抗の低い 12AT7/12AU7 にして調整。
  12AX7 GG の内部抵抗がゼロバイアス状態でも高く100V 超過。
  私の EL509 P-K NFB アンブでは FET + 12AU7 GG でした。

(2) 帰還管回路を FET ドレーン直に接続。 C/R 結合だから安全です。
  但し 60V 位の ZD を並列接続して過電圧破壊対策、出力管 Rk 下端に
  検知用の数 10Ωタップを設けそれから DC-NFB を高 R 経由で
  FET ゲートに掛け、入力経路にはC挿入、ソース R 調整となります。

(3) 9 ピンのソケット装備なので三極五極管に。
  但し 6U8/ 6EA8/ 6GH8A では G1p と Tp が隣のピン、高周波の
  飛びつき発振を起こし面倒。 その点 6AN8/ 6AW8-A 等は安全です。
  (拙 HP 2E24 STC に例あり。)


(1081)02/17_12:41
Re: 発振? (abo@尾道)

宇多さん、こんにちは。ご返信ありがとうございます。

「もし残るなら更にプレートに 10Ω程度挿入」了解です。

初段について
アンプゲインは帰還管の2端子回路(真空管抵抗)とFETのソース抵抗の比率で決まるようです。
FETは色々変えましたが、真空管抵抗ととFETのソース抵抗が同じであればアンプゲインも同じです。

(1) 帰還管と GG を 内部抵抗の低い 12AT7/12AU7 にして調整。
この場合、帰還管の2端子回路(真空管抵抗)は更に低下、
FETのソース電流は増えますのでソース抵抗も低くする必要があります。
しかし、帰還管の2端子回路(真空管抵抗)とFETのソース抵抗の比率はあまり変わらず...アンプゲインも大差無しでした。

(2) 帰還管回路を FET ドレーン直に接続。 C/R 結合だから安全です。
これは負帰還ですね。アンプゲインは下がる方向では?
「ZD を並列接続して過電圧破壊対策」は現在の高耐圧定電流回路で良いのでは?
それから、「ソース R 調整」すると帰還管の2端子回路(真空管抵抗)の電圧が変化、且つアンプゲインも変わります。
この「ソース R 調整」は何のためにするのでしょうか?

(3) 9 ピンのソケット装備なので三極五極管に。
市販品の改造なのでこの大掛かりなことは困難です。
五極管初段は次回自作するときに検討してみます。

●私見ですが、この回路でパスコン無しのソース抵抗のみの場合アンプゲインを上げることは困難だと思います。
もし可能であれば五極管初段でカソードパスコン無しのアンプゲインがどの位になるのか調べて頂けないでしょうか?


(1082)02/17_20:09
余地はないかと・・・ (宇多@茨城)

安保さん こんにちわ 
またまた見当ちがいかもしれませんが、お見逃し願います。

(1) 内部抵抗の低い帰還管と GG
 GG 回路での電圧配分を減らして、帰還管に与えることにより Rk を大に、IV 変換=帰還管入力を増加しゲイン向上するかと考えました。

(2) FET ドレーンを直に接続
 FET+12AX7 GG 回路がゼロバイアス状態でも100V を分担し、帰還段の動作= IV 変換 Rk を圧迫するなら、GG を除いて直結V1 と同様な構成および動作電圧配分にしたらどうかな、ただし安定化と保護は必要・・・と考えたのです。

(3) 「ソース R 調整」は何のために
 内部抵抗の低い帰還管と GG とする場合に FET のソース抵抗をへらしてバイアスを浅めに、ソース電流を増やし FET+GG への電圧配分を減らし、余剰を帰還段への印加電圧増加= Rk 増に宛て、配分を調整できるかなと考えたのです。

(4) パスコン無しの初段ソース/カソード抵抗
 直結V1 例についての概要です。 家で使うなら、通常の用法は CD プレーヤ (または FM チューナ) からの直入力が多く精々 1V 程度です。 
 聴衆が集まる会場などでは、使用するスピーカの能率や部屋サイズも関係しますが、 FET/五極管ともにナシではフルヴォリュームでも不足気味、フラットアンプなどが欲しい例がしばしばでした。
 そこで、初段の定電流性をやや損ねてもゲイン確保と、直結回路での動作点調整の容易さを考慮、パスコン追加を通例としました。 厳密には普通の SRPP サイドに若干後退ですが。 余るゲインは出力段の P から初段カソードに軽く P-K NFB で後退をカバーしたつもりです。  


(1083)02/17_21:34
Re: 余地はないかと・・・ (abo@尾道)

宇多さん、こんばんは。

私が調べた範囲では、帰還管を内部抵抗の低い 12AT7/12AU7 にしても、FETを色々なものに変えても、
この回路でパスコン無しの初段ソース抵抗でアンプゲイン(低歪)は上がらなかったです。
これは、宇多さんの「FET/五極管ともにナシではフルヴォリュームでも不足気味」と一致していますね。
ということで、私の場合は低音の迫力を重視したいのでパスコン無しで使いたいと思います。



(1077)02/16_09:39
超三結EL34Bシングル(改1) 入出力特性 (abo@尾道) 返信

入出力特性です。入力電圧(db/V) と出力(W, 対数尺) の関係が直線域の上端で鈍化するクリッピング・レベルがありません。
これは「入力信号が大きな電圧でマイナス側になったとき電圧電流変換回路の直線性が悪くなります。」の影響だと思われます。

最大出力は率特性曲線が急激に悪化する点から見ますと100Hは約3.5W、1kHzは4Wと10kHzは5Wになります。
ということで、BOYUU EL34B(日本仕様)を超三結EL34BシングルV1(C/R結合)に改造したときの最大出力は3Wということになります。

【訂正事項】
回路図には「本アンプで出力5W(THD7%)を出すには1.6Vrmsの入力が必要。」と記載していますが、2.3Vrmsの入力が必要に訂正します。
因みに、「本アンプで最大出力3W(THD1%/1kHz)を出すには1.4Vrmsの入力が必要。」になります。

[PNG画像]: -(15 KB)

(1078)02/16_09:53
またミスをしました。(汗) (abo@尾道)

入出力のXY軸が逆ですよね。見間違いました。(汗)1kHzでは4W位のところでクリッピングしています。


(1073)02/15_18:48
超三結EL34B全高調波歪特性(改1) (abo@尾道) 返信

全高調波歪特性です。10kHzは測定値がバラツキますので誤差が多いと思います。
それと一点質問、真空管アンプの最大出力はどの様な基準で決めるのでしょうか?

[PNG画像]: -(15 KB)


   106-112/386件中
<先頭 l 前7 - 次7>
imgboard2015!!
携帯3キャリア/iPhone/Android/パソALL対応