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球アンプ分科会掲示板(超三結アンプ)


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超三結EL34Bシングル V1(C/R結合) 改1(2012.2.14) abo@尾道 2012/02/14,23:26 No.1069
宇多さん、皆さん、こんばんは。
「超三結EL34Bシングル V1(C/R結合)」の回路定数が決まりました。

● 電圧帰還管の選択
この件ですが、宇多さんのC/R結合V1とは準超三結 V1回路「P-G NFB 併用カソードフォロア・ドライブ回路」のことでしょうか?
私の回路は直結V1構成のC/R結合ですので、「P-G NFB 併用カソードフォロア・ドライブ回路」とは違います。
また初段はFETを使っていますので「P-G NFB 併用 SRPP ドライブ回路」でもありません。
で、回路図にも記載していますが「電圧帰還管12AX7Bを12AT7に変えてもDFは変化無。DF4.5と少し低いのは出力トランスの1次側直流抵抗(200Ω)が影響している可能性有り。」
従って、C/R 結合の470KΩのグリッドリークの影響は無いと考えています。

● 五極管による初段
確かに五極管による初段はDC電圧をフィードバックしますので選択範囲が広く動作も安定しています。
(直結V1でFETを使うと過電圧による素子破損もありますね。)
ただ、初段の動作としてはFET(ソースフォロア)も五極管(カソードフォロア)も電圧電流変換回路として使っていますので、
この部分としてはどちらも安定に動作します。FETの問題はドレイン・ソース間の電圧変動が出力管のバイアス電流を変化させることにより、
最悪の場合出力管やバイアス抵抗を熱破壊すること、そしてFETの保護回路がなければ過電圧によりFET自体も壊れることです。
私の回路は出力管やバイアス抵抗はC/R結合(自己バイアス)により保護、FETは3極管と定電流ダイオードを使った高耐圧定電流回路と同じ原理で保護しますので再現性と安定性は問題ありません。
(残念ながら選択範囲はあまり広くは無いように見えます...)

● ダイオードの効果
改1の回路図には念のため入れていますが、長期間、真空管アンプから離れていましたので有無の違いが良く分かりませんでした。

● 初段FETのソース側抵抗のパスコン
パスコンを入れた回路をインターネットで良く見かけますが、これを入れると理由は分かりませんが低音の迫力が減少します。(DFの変化は無し)
アンプゲインは増えますが、低音の迫力が減少するので改1は入れていません。
尚、上條さんの回路にはこのパスコンを入れたものはありませんでした。何かご存知でしょうか?

● 五極管のSG電圧
一般的にはプレートより低い電圧を印加しますが、低くすると何故かこれも低音の迫力が減少します。(DFの変化は無し)
ということで、低音の迫力が減少するので改1は入れていません。何かご存知でしょうか?

測定環境として十分ではありませんが、今後周波数特性・歪特性・入出力特性をアップします。
先ず第1弾として超三結EL34B周波数特性0.125W(改1)をアップします。
>> 一段と完成度が 宇多@茨城 2012/02/15,10:08 No.1071
安保さん こんにちわ  一段と完成度が上がりました。

● 電圧帰還管の選択・・・回路名称の件等
1.「C/R 結合V1」は直結V1 の C/R 結合版、安保さんの回路が該当です。 
 ▲「P-G NFB 併用カソフォロ・ドライブ回路」は部分的な超三結回路であり
  NFB 信号は帰還段=カソフォロにのみに配分、V1 等と区別のため (勝手に)
  「準超三結」と命名しました。 別途に電圧増幅段を設けます。 
 ▲「P-G NFB 併用 SRPP ドライブ回路」は「超三結効果」が少なく 
  「類似回路」とし超三結のカテゴリ外としました。 双三極管 SRPP
  の P-G NFB 併用を超三結と混同する例があり、区別する目的もありました。
2.帰還管の変更・・・DF 変化なしは、FET + 三極管 GG の安定度が高く影響
  を受けにくいためかと思います。 直結では要素が多くよく判らないです。

● 五極管による初段
 FET + 三極管 GG によるカスコード・アンプは私も何例かトライしました。
 確かに FET 一発では電圧余裕等が少なく、直結では出力段 K のカサ上げ
 電圧を低くすれぱ設定範囲が狭く、しかも調整時に壊しかねない等問題です。
 直結V1 の場合は初段故障時の保護回路を、調整ミスも含めて追加しましたが。

● ダイオードの効果・・・スイッチで実時間比較する方もおられます。
 P 回路・・・廉価品 OPT に効果があるみたい。 過渡的な信号時に差かも。
 SG 回路・・・ビーム管は効きにくいみたいで、電極構造等も関係するかも。 

● 初段 FETのソースのパスコン
 五極管も同じで、初段の定電流性確保のため電流帰還とする場合 R のみです。
 私は低域を抑制し、直結V1の動作点調整が円滑になるので入れています。 
 定電流性が落ちても帰還段との適正インピーダンス配分ができればOKかと。

● 五極管の SG 電圧
 OPT による P 電圧の降下と合わせたり、水平偏向出力管の SG 電圧調整用
 ブリーダ・ドロッパを挿入します。 100uF 位でグランドまたはカソード
 に落としてみたら如何でしょう。
>> 迅速なご返信ありがとうございます。 abo@尾道 2012/02/15,11:24 No.1072
宇多さん、こんにちは。迅速なご返信ありがとうございます。

● 電圧帰還管の選択・・・回路名称の件等
この回路は「C/R 結合V1」ということ了解です。
「帰還管の変更・・・DF 変化なし」は私も良く分かりませんが、
C/R 結合の470KΩのグリッドリークの影響は無いと考えています。

● 五極管による初段
> 直結V1 の場合は初段故障時の保護回路を、調整ミスも含めて追加しましたが。

この回路は高耐圧定電流回路と同じ原理で保護します。
しかもこの高耐圧定電流回路は「定電流回路の内部抵抗は元の定電流ダイオードの内部抵抗のμ倍になり、これはちょっとやそっとでは得られないくらい高い値になります。」との優位を持っています。

● ダイオードの効果・・・スイッチで実時間比較する方もおられます。
> P 回路・・・廉価品 OPT に効果があるみたい。 過渡的な信号時に差かも。
> SG 回路・・・ビーム管は効きにくいみたいで、電極構造等も関係するかも。

う〜ん、高価なファーストリカバリーDiですか...、このダイオード効果が分かる方は素晴らしい感性をお持ちですね。
低音命の私では当面無理ですので(笑)、保留とさせて頂きます。

● 初段 FETのソースのパスコン
> 五極管も同じで、初段の定電流性確保のため電流帰還とする場合 R のみです。
> 私は低域を抑制し、直結V1の動作点調整が円滑になるので入れています。 

 定電流性が落ちるということ了解です。

● 五極管の SG 電圧
> 100uF 位でグランドまたはカソードに落としてみたら如何でしょう。

電圧をPより50V下げ8.2kの終端についている22uFでグランドに落としましたが低音の迫力が減少します。
歪特性・入出力特性が一段落してから100uFで実験してみます。

※今後について
1.アンプゲインの向上
 現行の4倍では不足し過ぎですよね。±電源とOPアンプを使えば簡単ですが、それでは芸が無いので...
2.大出力の歪率改善
 現行の回路では入力信号が大きな電圧でマイナス側になったとき電圧電流変換回路の直線性が悪くなります。アンプゲイン不足も含めて何とかしたいと考えております。
3.MC-10T(EL34B/PP)の超三結化
 実はBOYUU EL34B(日本仕様)の音が余りにも酷かったのでこれも追加購入しました。
 真空管アンプの性能としては普通?であり何も不満はありませんが、このEL34Bシングル超三結化の音を聴くとMC-10Tも改造してみたいと思っています。
 ただ、改造が大掛かりになり大変なので二の足を踏む?かも知れません...(汗)
>> ご検討余地 宇多@茨城 2012/02/16,01:42 No.1074
安保さん こんにちわ  以下、見当違いにはご容赦のほどを。

1.ゲイン不足
 帰還管のカソード抵抗 Rk が過小かも。 直結では 4.7k~8.2k 辺りです。

2.大出力の歪率改善
 下の 12AX7/2 GG が Ek=Eg とゼロ・バイアス状態・・・見直し要か。
(1) 帰還管のカソード抵抗を増やすと、下の GG の動作電圧が下がりますが、
(2) FET のバイアスR調整、および/または GG のグリッド電位を
  ポテンショ加減に時定数を加え、最適化すると良いかもしれません。
>> ゲイン不足の要因 abo@尾道 2012/02/16,07:17 No.1076
宇多さん、おはようございます。

帰還管のカソード抵抗がゲイン不足の要因ですが、現在のFET電流で4.7kにするとロー電圧側で飽和するので不可です。
FET電流を少なくするにはFETのソース抵抗を大きくするかIDSSの小さいものにする必要がありますが、
大出力の歪率との関係もありゲインを上手く上げることができません。
これが、FETの初段で(残念ながら選択範囲はあまり広くは無いように見えます...)の意味です。


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