12月の三土会に参加してみなさんから元気を分けてもらったので、新しいアンプを作ってみました。このアンプは今まで私が作ってきた高帰還アンプではなく、無帰還でも聞けるよう裸特性を重視した上で、さら浅めのNFBをかけるというもの。中低音の薄い普通の音でした。NFB少な目なので、アナログ電源だとハムが少し聞こえます。失敗です。次回は1段増幅回路やTrを変更してみます。仕様：4石構成/1ch、2段増幅、出力段はMOSFET、オープンループゲイン30dB、fc=120KHz、仕上がりゲイン20dB、NFB=10dB。
こんにちは。増田です。NFB=10dB＝1+Aβ＝√10＝3.1622 ですね。DF＝(DFo+1)NFB-1=3.1622-1=2.1622 …DF=２のアンプ仕上がりですね。当方は、真空管アンプで、DF=3狙いなので、やや緩めのアンプでしょうか。
こんにちは 高宮@島根です。 出力インピーダンスは回路形式によって色々変わると思いますが、ソースホロアの出力インピーダンスは、駆動段のインピーダンスを無視すれば、凡そソース抵抗と等しくなります。 内部抵抗0.4ΩのFETに0.４Ωを直列に接続したコンプリメンタリー プッシュプルでは０．４Ωになります。電圧帰還を10dBかければ、1/3に低下します。従ってダンピングファクターはかなり大きいでしょう。
ですね。そうでした。どうも、アンプというと真空管カソード接地専門なので。半導体の場合、いわなくてもコンプリソースフォロワで、出力インピ＝1/gmですね。ですのでDF的にはNFBなしでもOKということですね。NFBの目的は歪率改善か…この辺は個人の嗜好ですね。
こんにちは高宮です。終段を pnp エミホロ + N ch ソース接地 と npn エミホロ + P chソース接地 ( = インバーテッド ダーリントン接続)にすると、電源のリップル抑圧特性は良くなりますが、局部帰還も無しで検討されていますか。68000uF程度の電源フィルタとで１W出力時80dB位のS/Nは得られると思いますが。 やはりMOSFETは三極管特性に近く電源電圧の変動で出力電流が変化するので、単独ではハムが僅か出るかも知れませんね。
裸特性を向上させるため、局部帰還は使用せず、自己帰還（抵抗を入れてゲインを下げた）だけです。ハム音は出力段ではなく、電圧増幅段から出ています。2段増幅回路の電源抑圧能力が低いんですね。また、このアンプの電源は外付けなので、容量不明電源、15000μの電源、SW電源をつないでテストしましたが、アナログ電源はどれもハム音が少しします。なお、現在、このアンプは跡形もなくなり、TDA2030アンプに変わっています。アンプの音は、NFBの有無よりも電源のコンデンサの質に影響されるのではないかと考え、実験を行うために作り変えました。